随著(zhe)電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)技(jì)↑♥'術(shù)和(hé)開(kāi)關行(xíng)業(yè)的×​≥(de)飛(fēi)速發展，電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)設備與人>♥ (rén)們的(de)工(gōng)作(zu$©"™ò)、生(shēng)活的(de)關系日(rì)益密切，而電(diàn)™€↑子(zǐ)設備都(dōu)離(lí)不(bù)開(kāi)可(k☆Ω βě)靠的(de)電(diàn)源，進入80年(nián)代計(jΩ₩ì)算(suàn)機(jī)電(diàn)源全面實現≈₹₩(xiàn)了(le)開(kāi)關電(diàn)源化(huà)，率先完ε→​☆成計(jì)算(suàn)機(jī)的(de)電(diàn)源換代，進入90年γ§✘"(nián)代開(kāi)關電(diàn)源相(xiàng)繼進入各種電(dπ"≈iàn)子(zǐ)、電(diàn)器(qì)設備領域，程控交換機♠←≥(jī)、通(tōng)訊、電(diàn)子(zǐ)檢測•♦設備電(diàn)源、控制(zhì)設備Ωπ電(diàn)源等都(dōu)已廣泛地(dìβ↓‌&)使用(yòng)了(le)開(kāi)關電(diàn)源，更促'α←進了(le)開(kāi)關電(diàn)α$源技(jì)術(shù)的(de)迅速發展。開(kāi)關電(di↓"€πàn)源是(shì)利用(yòng)現(±πxiàn)代電(diàn)力電(diàn)子(zǐ××​)技(jì)術(shù)，控制(zhì)開(kāi)關晶體(tǐ)管開(kā♥♠&'i)通(tōng)和(hé)關斷的(de)時(shí©π)間(jiān)比率，維持穩定輸出電(diàn)壓的(de∑δ)一(yī)種電(diàn)源，開(kāi)關電(d£α<iàn)源一(yī)般由脈沖寬度調制(zhì)（PWM）控制¥"(zhì)IC和(hé)MOSFET構成。開(kāi)關電(§ε‌φdiàn)源和(hé)線性電(diàn)源相(xiàng)比，二者的(de)成¶"π本都(dōu)随著(zhe)輸出功率的(de)增加而增長(cháng)" α ，但(dàn)二者增長(cháng)速率各異。線性電∑​✘(diàn)源成本在某一(yī)輸出功率點上(shàng)，反而高(gā‌© o)于開(kāi)關電(diàn)源，這(zhè)一(yī)成本反轉點。随著±☆♦∏(zhe)電(diàn)力電(diàn)子(zǐ)技(jì)術(shù)♠✔$的(de)發展和(hé)創新，使得(de©•‌)開(kāi)關電(diàn)源技(jì)術(shù)在不(bù)斷地(dì♥→≤™)創新，這(zhè)一(yī)成本反轉點 φλπ日(rì)益向低(dī)輸出電(diàn)力端移動，這(zhè)α÷為(wèi)開(kāi)關電(diàn)源提供"♣γ了(le)廣泛的(de)發展空(kōng)間 ★←‌(jiān)。
     開(kāi)關電(diàn♦÷)源高(gāo)頻(pín)化(huà)是✔↔$(shì)其發展的(de)方向，高(gāo)頻(pín)化π↔↑β(huà)使開(kāi)關電(diàn)源小<σγ¶(xiǎo)型化(huà)，并使開(kāi)關電(diàn)源進入更廣泛φ< ∑的(de)應用(yòng)領域，特别是(shì)在高(gāo)新技(jλβ☆φì)術(shù)領域的(de)應用(yòng)☆Ω$β，推動了(le)高(gāo)新技(jì)<§β術(shù)産品的(de)小(xiǎo)型化(huà)、輕便化(huà)。‍©另外(wài)開(kāi)關電(diàn)源的(de)發₩✔ε展與應用(yòng)在節約能(néng)源、節約資源及保護環境©₽§×方面都(dōu)具有(yǒu)重要(yào)的(de)意義。
   &nβ≥bsp; 更多(duō)的(de)了(le)解開(kāi)關在生(sh♥≠ελēng)活中的(de)用(yòng)途，可(kě)‌ε₩以讓開(kāi)關行(xíng)業(yè)在§♣δ♠市(shì)場(chǎng)上(shàng)具有(yǒu)‌₹φ更大(dà)的(de)拓展力。